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Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: II-VI Halbleiter II

HL 23.10: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 13:00–13:15, TU P-N202

Phosphordotierung in ZnO — •Christian Neumann1, Joachim Sann1, Ute Haboeck2 und Bruno K. Meyer11I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität-Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Giessen, Germany — 2Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Phosphor ist ein möglicher Kandidat für eine p-Dotierung von ZnO. Wir berichten über den Einbau von Phosphor in mittels CVD epitaktisch abgeschiedenen ZnO-Dünnschichten sowie Diffusionsexperimenten an ZnO-Einkristallen. Röntgendiffraktometrie, temperaturabhängige Photolumineszenzmessungen im Bereich von 4 - 300 K sowie Ramanspektroskopie von 50 - 2750 cm−1 mit verschiedenen Anregungswellenlängen zeigen den Einfluß der Phosphordotierung im ZnO.

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