Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: II-VI Halbleiter II
HL 23.7: Vortrag
Samstag, 5. März 2005, 12:15–12:30, TU P-N202
Elektrische Eigenschaften von ZnO1−xSx:(H,Al) — •Thorsten Krämer, Angelika Polity, Changzhong Wang und Bruno K. Meyer — Justus-Liebig-Universität Gießen, 1. Physikalisches Institut, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen
Das Legierungssystem ZnO1−xSx zeigt einen parabolischen Verlauf der Bandlücke bei variierender Zusammensetzung x zwischen den binären Endpunkten ZnO (Eg=3,3 eV) und ZnS (Eg=3,6 eV). Dieses Verhalten läßt sich mit EZnOS(x)=x EZnS+(1−x)EZnO−bx(1−x) beschreiben, wobei der Bowingfaktor b für ZnO1−xSx etwa 3 eV annimmt. Die Bandlücke kann also durch Wahl der Zusammensetzung Werte zwischen 3,6 eV und 2,6 eV annehmen. Durch ein Radiofrequenz-Sputterverfahren wurden dünne ZnO1−xSx-Schichten auf Saphir und Glas hergestellt und zur Erhöhung ihrer elektrischen Leitfähigkeit mit Aluminium und/oder Wasserstoff dotiert. Zur Bestimmung der Ladungsträgerdichte, der Beweglichkeit und des spezifischen Widerstandes wurden Halleffektmessungen in der van-der-Pauw Geometrie durchgeführt. 4-Punkt-Leitfähigkeitsmessungen konnten zur Überprüfung der Widerstandswerte herangezogen werden. Weiterhin werden Messungen der optischen Transmission vorgestellt.