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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Si / Ge

HL 25.2: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 11:00–11:15, TU P-N226

Doppelresonantes Raman Spektrum in Germanium — •M. Mohr, M. Machón, J. Maultzsch und C. Thomsen — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Das Raman Spektrum von Germanium zeigt eine schwache Mode unterhalb der optischen Phononen, deren Frequenz von der Energie der Anregung abhängt[1]. Diese Abhängigkeit ist je nach Orientierung der Probe verschieden. Wir haben diese Mode in Hinsicht auf Doppelresonanz[2] untersucht. Nach der resonanten Absorption von Licht wird das Elektron in einen realen Zustand gestreut, was zu einer zweifachen Verstärkung des Ramansignals führt. Die im Prozess beteiligten Phononen stammen nicht aus dem Γ-Punkt, daher können über die Phononendispersion Rückschlüsse gezogen werden. Wir untersuchen die Streuprozesse entlang Achsen hoher Symmetrie, diskutieren den Einfluss der Auswahlregeln für Elektron-Phonon-Streuung und vergleichen die Vorhersagen mit experimentellen Daten.
A

[1] D.J. Mowbray et al., Proc. 20th ICPS (World Scientific, 1990), 2017

[2] C. Thomsen und S. Reich, Phys. Rev. Lett. 85, 5214 (2000)