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HL: Halbleiterphysik
HL 26: SiC
Samstag, 5. März 2005, 12:30–13:15, TU P-N229
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12:30 | HL 26.1 | Growth of oxynitrides on Si-rich 4H-SiC(0001) surfaces — •Patrick Hoffmann, Andriy Goryachko, and Dieter Schmeißer |
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12:45 | HL 26.2 | Dotieratom-Interstitials in 4H-SiC — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov |
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13:00 | HL 26.3 | Bildung und Eigenschaften von Stapelfehlern in Stickstoff dotiertem 4H-SiC — •Klaus Irmscher, Martin Albrecht, Matthias Roßberg, Hans-Joachim Rost, Dietmar Siche und Günter Wagner |