Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: II-VI Halbleiter III

HL 30.6: Talk

Saturday, March 5, 2005, 16:15–16:30, TU P164

Thermische Dissoziation von gebundenen Exzitonenkomplexen in ZnO — •S. Giemsch, F. Bertram, S. Petzold, Th. Hempel, J. Christen, A. Dadgar und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Die thermische Dissoziation von gebundenen Exzitonenkomplexen wurde in MOCVD gewachsenen ZnO Schichten mittels temperatur- und anregungsdichteabhängigen, sowie zeitaufgelösten Photolumineszenzmessungen (PL) untersucht. Der bandkantennahe Bereich des PL-Spektrums bei T=4.2 K besteht aus scharfen exzitonischen Linien (freies und gebundene Exzitonen: FX, I2/I3, I8, I9) sowie deren Zweielektronensatelliten (TES). I8 (FWHM < 1.6 meV) dominiert deutlich das Spektrum. In temperaturabhängigen PL-Messungen werden thermisch aktivierte Lumineszenzprozesse beobachtet, die zu zusätzlichen Linien (z.B. Band-Störstelle) bei höherer Temperatur führen. Die Bindungsenergien der beobachteten Exzitonen und Störstellen wurde bestimmt. Es finden sich teilweise erhebliche Unterschiede zu den in der Literatur gefundenen Werten. Die Relaxations- und Rekombinationskinetik wird mit zeitaufgelösten ps-PL-Messungen detailliert untersucht.