Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: GaN: Bauelemente

HL 31.5: Talk

Saturday, March 5, 2005, 16:00–16:15, TU P-N201

AlInN-basierte elektronische und optoelektronische Bauelemente — •Armin Dadgar¹, Martin Neuburger², Fabian Schulze¹, Jürgen Bläsing¹, André Krtschil¹, Hartmut Witte¹, Annette Diez¹, Mike Kunze³, Ingo Daumiller³, Erhard Kohn² und Alois Krost¹ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — ²University of Ulm, Department of Electron Devices and Circuits, Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm — ³MicroGaN GmbH, Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm

Für elektronische (FET) und optoelektronische (RCLED, VCSEL) Bauelemente ist die Verwendung von AlInN aufgrund der Möglichkeit, dieses gitterangepaßt auf GaN zu wachsen, äußerst interessant. So sind von Al-reichen AlInN Schichten bei Verwendung in FETs hohe Polarisationsladungen aufgrund der hohen spont. Polarisation an der Grenzfläche zum GaN zu erwarten. Tatsächlich zeigen AlInN/GaN gegenüber AlGaN/GaN FETs deutlich höhere 2D Ladungsträger- (>2x10¹³cm⁻³) und Leistungsdichten (>4.4 W/mm). Durch die Veränderung der Verspannung des AlInN kann dabei der Anteil der piezoel. Polarisation so gewählt werden, daß sie die in diesem Material sehr starke spont. Polarisation verstärkt oder abschwächt, was sich in den 2D Trägerdichten widerspiegelt. Für Braggreflektoren ist dieses Material durch die Möglichkeit, verspannungsarm und somit im Gegensatz zum AlGaN/GaN System rißfrei zu wachsen, sehr interessant. Wir zeigen rißfreie 40-fach AlInN/GaN Braggreflektoren mit hohen Reflektivitäten und diskutieren anhand von 10-fach Reflektoren den Einfluß der Prozeßführung auf die Reflektivität.