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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Halbleiterlaser I

HL 32.1: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 15:00–15:15, TU P-N202

GaSb-basierte Halbleiter-Diodenlaser im externen Resonator für den Wellenlängenbereich um 2 µm — •Eva Geerlings¹, Marcel Rattunde¹, Johannes Schmitz¹, Gudrun Kaufel¹, Joachim Wagner¹ und Hans Zappe² — ¹Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72, 79108 Freiburg — ²Institut für Mikrosystemtechnik, Universität Freiburg, Georges-Köhler-Allee 102, 79110 Freiburg

GaSb-basierte Typ-I Halbleiterlaser, die im Wellenlängenbereich um 2 µm emittieren, können in der Medizintechnik in der nicht-invasiven Diagnostik z.B. zur Messung des Blutzuckerspiegels von Diabetes-Patienten, eingesetzt werden. Für dieses Messverfahren, das auf spektroskopischer Sensorik beruht, sind breit durchstimmbare Diodenlaser nötig.

Um einen breiten Durchstimmbereich realisieren zu können, werden die Diodenlaser in einen externen Resonator, der auf der Littrow - Konfiguration basiert, betrieben. Verwendet wurden indexgeführte schmale Rippenwellenleiter-Laser mit hochreflektierend/antireflektierend beschichteten Facetten. In dieser Arbeit werden wesentliche Parameter, die den maximalen Durchstimmbereich beeinflussen, analysiert. Speziell wurde der Einfluß der Gitterreflektivität sowie des Kopplungsfaktors zwischen internem und externem Resonator auf den Durchstimmbereich untersucht. Es konnte ein maximaler Durchstimmbereich von 130 nm erreicht werden, wobei der Laser zwischen 2.21 µm und 2.34 µm quasi-kontinuierlich betrieben werden kann.