Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Halbleiterlaser I

HL 32.3: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 15:30–15:45, TU P-N202

Quantenpunktlaser auf InP mit einer Verstärkungsbandbreite von über 250 nm — •Andre Somers, Stefan Deubert, Wolfgang Kaiser, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Würzburg

Für viele Anwendungen besteht ein starkes Interesse an einem größeren spektralen Verstärkungsbereich, als herkömmliche Quantenfilmlaser liefern können. Aufgrund der statistischen Größenverteilung von Quantenpunktstrukturen auf InP ist die Bandbreite bereits deutlich vergrößert. Durch spezielle Schichtdesigns ist es möglich die Bandbreite bis über 250 nm zu steigern. Damit kann der gesamte langwellige Telekommunikationsbereich zwischen 1.4 und 1.65 µm mit einer Schichtstruktur abgedeckt werden, z.B. für optische Verstärker (SOAs) oder abstimmbare Laser mit externer Kavität (ECLs). Die in diesem Beitrag präsentierten Laser zeigen verschiedene Ansätze, mit denen eine solche Bandbreite auf InP realisiert wurde. Um dies zu erreichen wurde die Abhängigkeit der Emissionswellenlänge von der Quantenpunktdicke ausgenutzt. Durch die Kombination von verschiedenen Quantenpunkt- und Barrierendicken in einer aktiven Zone ist es möglich die Verstärkung über einen großen spektralen Bereich zu verteilen. Für die Bestimmung der spektralen Bandbreite wurde die Streifenmethode angewandt.