Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Kohlenstoff/Diamant
HL 33.3: Vortrag
Samstag, 5. März 2005, 15:30–15:45, TU P-N229
Homoepitaktische Abscheidung von Diamant mit hohen Wachstumsraten — •Thomas Bauer, Matthias Schreck, Hadwig Sternschulte und Bernd Stritzker — Uni Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg
Homoepitaktisches Wachstum mittels Chemischer
Gasphasenabscheidung (CVD) kann Diamantkristalle mit höchster
kristalliner und elektronischer Qualität liefern [1]. In der
vorliegenden Arbeit wurde das CVD-Wachstum auf Typ
Ib-Einkristallen (aus der Hochtemperatur-Hochdruck-Synthese) bei
hohen Wachstumsraten von bis zu 30 µm/h untersucht. Auf
nominell (001)-orientierten Oberflächen bildete sich bei den
typischen Wachstumsbedingungen von 10% CH4 in Wasserstoff,
einem Gasdruck von 200 mbar und Substrattemperaturen von 1200oC
eine hohe Dichte von nichtepitaktischen Kristalliten. Durch
Verwendung von Substraten mit off-axis-Winkeln zwischen 3o und
7o konnten diese komplett unterdrückt werden.
Hochauflösungsröntgenbeugungsmessungen ergaben
Halbwertsbreiten der Rockingkurven von < 0,01o. Die
Linienbreiten der Ramanspektren sind mit 1,62 cm−1
vergleichbar mit denen der besten IIa-Einkristalle.
J. Isberg et al. Science 297 (2002) 1670.