Berlin 2005 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Kohlenstoff/Diamant
HL 33.4: Talk
Saturday, March 5, 2005, 15:45–16:00, TU P-N229
Wachstum von epitaktischen Diamantschichten auf Silizium mittels Iridium/Metalloxid-Pufferschichten — •Stefan Gsell, Thomas Bauer, Johannes Goldfuss , Matthias Schreck und Bernd Stritzker — Uni Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg
Epitaktische Schichten aus Strontiumtitanat (SrTiO3) und Yttria-stabilisiertem Zirkonoxid (YSZ) wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) bzw. gepulster Laserablation (PLD) auf Si(001) aufgebracht. Sie dienten als Unterlage für die nachfolgende Deposition von einkristallinen Iridiumschichten. Die Charakterisierung der Proben erfolgte mit Hilfe von Röntgentexturmessungen, Rasterelektronenmikroskopie und Ramanspektroskopie. Auf beiden Materialsystemen Ir/SrTiO3/Si(001) und Ir/YSZ/Si(001) wurde mittels Gleichspannungs-unterstützer Keimbildung in einer Mikrowellenplasmaanlage Diamant epitaktisch abgeschieden. Mit Mosaizitätswerten unter 1o sind diese Schichten um nahezu eine Grössenordnung besser als bei direkter Deposition von Diamant auf Silizium. Die vorliegenden Ergebnisse zeigen einen aussichtsreichen Weg für die Abscheidung großflächiger einkristalliner Diamantschichten auf.