Berlin 2005 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 34: Neue Materialien
HL 34.2: Talk
Saturday, March 5, 2005, 15:15–15:30, TU P-N226
Microchanneling Untersuchungen an mittels Ionenstrahlsynthese hergestellter ß-FeSi2-Strukturen — •Ü. Dagkaldiran1, D. Grambole2, V. Herrmann2, H.-U. Schreiber1 und J. Meijer1 — 1Ruhr-Universität Bochum — 2Forschungszentrum Rossendorf
Halbleitendes Eisendisilizid (ß-FeSi2) ist
immer öfter Gegenstand der heutigen Forschung. Der Verdacht,
dass ß-FeSi2 vermutlich einen direkten Bandübergang von 0,8
eV besitzt [1], macht ihn zu einem viel versprechenden Kandidaten
für µ-LED’s auf Silizium Basis. Monokristallines ß-FeSi2
würde sogar die Möglichkeit für einen
µ-Laser eröffnen.
Die Temperatur während der Ionenimplantation, die
Ausheilschritte, die Energie des Ionenstrahls sowie die Dosis und
die Stromdichte, Strukturgröße etc. sind entscheidende
Prozessparameter für die Synthese solcher Strukturen, die
aufeinander abgestimmt werden müssen.
Die Kombination der beiden Anlagen, der Hochenergie Ionen
Projektor (HEIP) an Ruhr Universität Bochum und die
µ-Channeling Anlage im Technologiezentrum Rossendorf, erlaubt
die schnelle Herstellung und auch die Analyse der Strukturen. Die
Strukturen wurden mit einer Ionenernergie von 800 keV hergestellt.
Die Dosis wurde zwischen 1; 3 und 5x1017 Fe+/cm−2
variiert. Die Temperature während der Implantation wurde
zwischen 50 - 350 ∘C variiert. Die Untersuchung zeigte,
dass die Ostwald Reifung von der Implantationtemperatur abhängt.
Raman Messungen bestätigten die Synthese von ß-FeSi2.
[1] N.E. Christensen; Phys. Rev. B42, 1990, p.7148-7153