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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften III

HL 36.8: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 11:45–12:00, TU P164

Untersuchung der elektronischen Zustände von Halbleiterquantenpunkten im Rahmen von Tight-Binding-Modellen — •Stefan Schulz und Gerd Czycholl — Institut für Theoretische Physik, Universität Bremen

Die optischen und elektronischen Eigenschaften von Halbleiterquantenpunkten sind stark abhängig von der Größe, Geometrie, Zusammensetzung als auch von den Einteilchenzuständen und der Coulomb-Wechselwirkung.

Die Einteilchenzustände und auch die Einteilchenenergien von Halbleiternanostrukturen werden hier mit Hilfe von Tight-Binding-Modellen untersucht. Diese Modelle bieten einen mikroskopischen Zugang zur Beschreibung von niederdimensionalen Strukturen.
Durch Anpassung an charakteristischen Eigenschaften der Bandstruktur der Volumenmaterialien werden die in den Tight-Binding-Modellen auftretenden Parameter bestimmt.

Es werden sowohl nitrid-basierte Halbleiterquantenpunkte als auch Nanostrukturen basierend auf II-VI-Materialien untersucht. Betrachtet werden hierbei unterschiedliche Modellgeometrien.
Im Rahmen dieser mikroskopischen Theorie wird insbesondere der Einfluß von Verspannungseffekten auf die elektronischen Einteilchenzustände untersucht.