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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 4.9: Vortrag

Freitag, 4. März 2005, 12:45–13:00, TU P-N201

Rekombinationsdynamik lokalisierter Exzitonen in einzelnen InGaN-Quantenpunkten — •Thomas Stempel, Matthias Dworzak, Axel Hoffmann, Lars Reißmann, André Strittmatter und Dieter Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die Photolumineszenz (PL) von InGaN/GaN-Heterostrukturen zeigt ein spezifisches zeitliches Verhalten, das durch ein nichtexponentielles Abklingen und eine zeitliche Rotverschiebung des Lumineszenzmaximums gekennzeichnet ist. Für diese seit langem bekannten Effekte wurde bisher die Abschirmung interner elektrischer Felder verantwortlich gemacht. Zeit- und ortsaufgelöste PL-Untersuchungen an nur wenige nm dicken InGaN-Schichten zeigen jedoch, dass hier die Rekombinationsdynamik nicht aus Abschirmungseffekten resultiert. Stattdessen stellen diese Strukturen bei tiefen Temperaturen Quantenpunkt-Ensembles hoher räumlicher Dichte dar. Die Umverteilung von Ladungsträgern innerhalb des Ensembles von schwächer zu stärker lokalisierenden Quantenpunkten (QP) führt zur beobachteten Rotverschiebung. Das nichtexponentielle Abklingen dagegen resultiert aus der Überlagerung der Abklingkurven einzelner QP-Zustände mit einer breiten Verteilung der Exziton-Lebensdauern.