Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung II

HL 43.1: Talk

Monday, March 7, 2005, 15:00–15:15, TU P164

Segregation von Dotieratomen in GaN — •M. Siebert, Th. Schmidt, J. I. Flege, S. Gangopadhyay, A. Pretorius, S. Einfeldt, S. Figge, D. Hommel und J. Falta — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Postfach 330 440, 28 334 Bremen

Im blauen Spektralbereich sind GaN-basierte Heterostrukturen von großer Bedeutung für die Anwendung in Laserdioden (LD) und Leuchtdioden (LED). In diesem Zusammenhang ist ein genaues Verständnis des Einbaus von Mg und Si, die als Dotieratome für p- bzw. n-Dotierung verwendet werden, notwendig. So wurde beobachtet, dass Mg-Dotieratome nicht homogen im GaN-Film verteilt sind, sondern in Abhängigkeit von der Dotierkonzentration unterschiedlich starke Tendenz zur Segregation zeigen. Zur genaueren Charakterisierung des Segregationsverhaltens wurden Experimente mit Photolelektronenspektroskopie (XPS) und Spektromikroskopie (ESCA-Mikroskopie) bei verschiedenen Dotierkonzentrationen durchgeführt. Dabei wurde festgestellt, dass Mg auch bei niedrigen Dotierkonzentrationen deutlich unterhalb der Schwellwertbedingung für die Bildung von Inversionsdomänengrenzen Segregation zeigt. Desweiteren konnte anhand von Spektromikroskopieexperimenten zum ersten Mal gezeigt werden, dass auch Si segregiert und sich dabei an facettierten Oberflächenrissen entlang der Kristallsymmetrieachsen anlagert.