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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter IV

HL 44.3: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 15:30–15:45, TU P-N201

Diffusion von Ag in CdTe bei Ko-Diffusion von Cu oder Au — •F. Wagner, H. Wolf und Th. Wichert — Technische Physik, Universität des Saarlandes, D-66123 Saarbrücken

Es werden experimentelle Untersuchungen vorgestellt, die zeigen, dass die Diffusion von Ag in einkristallinem CdTe stark von der Anwesenheit anderer Gruppe I Elemente beeinflusst wird. Diese Diffusionsexperimente wurden mit den Radiotracern ¹¹¹Ag und ⁶⁷Cu durchgeführt.
Wird nach einseitiger Implantation von ¹¹¹Ag (60 - 80 keV) in einen 500 µm dicken CdTe Kristall auf die Implantationsseite Cu aufgedampft und anschließend der Kristall für 30 min bei 550 K getempert, befindet sich das implantierte Ag nahezu vollständig in einer Schicht von ca. 1 µm an der Rückseite des Kristalls. Die Ko-Diffusion von Cu beschleunigt somit deutlich die Diffusion von Ag. Wird dagegen als Radiotracer ⁶⁷Cu implantiert und anschließend Ag auf der Implantationsseite aufgedampft, so zeigt sich kein signifikanter Einfluss von Ag auf die Cu Diffusion. Ebenso wie Cu übt auch die Ko-Diffusion von Au einen deutlichen Einfluss auf die ¹¹¹Ag Diffusion aus, jedoch ist der Beschleunigungseffekt deutlich schwächer als im Fall der Ko-Diffusion von Cu. Alle Beobachtungen lassen sich dadurch erklären, dass (i) die Diffusion von Gruppe I Elementen in CdTe stark durch die Wechselwirkung mit interstitiellen Cd-Atomen (Kick-out Mechanismus) beeinflusst wird, (ii) interstitielle Gruppe I Elemente eine sehr hohe Beweglichkeit haben und (iii) Ag schwächer auf dem substitutionellen Platz des Cd Untergitters gebunden ist als Cu oder Au.
Gefördert durch das BMBF, Projekt 05KK1TSB/5 und die DFG, Projekt Wi715/-1