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HL: Halbleiterphysik

HL 46: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung I

HL 46.2: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 17:00–17:15, TU P164

Struktur und Stöchiometrie von InAs/GaAs Quantenpunkten mit Sb-Beimischungen — •R. Timm, T.-Y. Kim, A. Lenz, H. Eisele, K. Pötschke, U. W. Pohl, D. Bimberg und M. Dähne — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

InAs Quantenpunkte in GaAs sind von entscheidender Bedeutung für die Optoelektronik. Ein vielversprechender Ansatz, um die industriell wichtige Wellenlänge von 1,3 µm zu erreichen, besteht in der Beimischung geringer Mengen von Antimon, wobei bereits die Anwesenheit von Sb während der Wachstumsphase zu einer Strukturänderung von InAs Quantenpunkten führt [1].

Mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) wurden InAs/GaAs Quantenpunkte mit Sb-Beimischungen untersucht, die mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsen wurden. XSTM ermöglicht die Charakterisierung von überwachsenen Quantenpunkten [2] und ist das einzige Verfahren, das die chemische Zusammensetzung solcher quarternärer Nanostrukturen mit atomarer Auflösung zeigen kann.

Für bestimmte Wachstumsbedingungen konnten einzelne Sb-Atome in den Benetzungsschichten nachgewiesen werden, nicht aber in den Quantenpunkten. Anhand der atomaren Struktur der untersuchten Quantenpunkte und Benetzungsschichten mit der jeweiligen lokalen Stöchiometrie wird der Einfluss des Antimons auf die InAs-Nanostrukturen diskutiert.

Diese Arbeit wurde unterstützt durch die Europäische Kommission im Rahmen des EU-Exzellenznetzwerks SANDiE.

[1] K. Pötschke, et al., Physica E 21, 606 (2004)

[2] R. Timm, et al., Appl. Phys. Lett., im Druck