Berlin 2005 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 46: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung I
HL 46.4: Talk
Monday, March 7, 2005, 17:30–17:45, TU P164
Größenkontrolle von InAs Quantum Dashes — •Andres Sauerwald1, Tilmar Kümmell1, Gerd Bacher1, André Somers2, Ruth Schwertberger2, Johann Peter Reithmaier2 und Alfred Forchel2 — 1Werkstoffe der Elektrotechnik, Universität Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany — 2Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany
Gerade für selbstorganisierte Strukturen besteht reges Interesse, die Größe über Wachstumsparameter kontrolliert einzustellen. Wir untersuchen selbstorganisierte InAs/InGaAlAs Quantum Dashes (QDashes) mit unterschiedlichen nominellen InAs-Schichtdicken. Mit Raster-Transmissions-Elektronen-Mikroskopie (RTEM) können Größe, Form und chemische Zusammensetzung präzise bestimmt werden. Es zeigt sich, dass die absolute Höhe der QDashes für alle Proben proportional zur nominellen InAs-Schichtdicke ist, während das Höhe-Basis Verhältnis des pyramidenförmigen Querschnitts sich als unabhängig von der nominellen InAs Schichtdicke erweist. Durch Änderung eines einzigen Wachstumsparameters kann somit die Größe der QDashes über einen weiten Bereich (Faktor 3) kontrolliert und damit die Emissions-Wellenlänge zwischen 1.3 µ m und 1.9 µ m eingestellt werden.