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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 5.2: Vortrag

Freitag, 4. März 2005, 11:00–11:15, TU P-N202

Analyse des strukturellen Übergangs zwischen c-Si/a-Ge: Theorie und Anwendung — •Karsten Thiel¹, Nikolai Borgardt², Boris Plikat³, Tore Niermann¹ und Michael Seibt¹ — ¹IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen und SFB 602, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen — ²Moscow Inst. of Electronic Technologie, 124498 Moscow, Russland — ³Infineon Technologies, Regensburg

Der strukturelle Übergang zwischen amorphen und kristallinen Materialien wird auf der Basis der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) mittels einer Methode, die die Mittelung der Abbildungen entlang der Grenzfläche beinhaltet, am System c-Si/a-Ge untersucht. Diese gemittelten Abbildungen können unter Verwendung einer zweidimensionalen Verteilungsfunktion, die auf der amorphen Seite durch die mittlere atomare Dichte an der Grenze und auf der kristallinen Seite durch die bekannten Positionen der Atome beschrieben wird, mittels konventioneller Multi-Slice-Verfahren simuliert werden.

Neben der theoretischen Beschreibung werden auch Fragen der praktischen Anwendung diskutiert, wie die Frage der lateralen Auflösung dieses Ansatzes sowie die Frage nach signifikanten Unterschieden in den Verteilungsfunktionen unterschiedlicher Abbildungs- bzw. Mittelungsbereiche.

Durch das kontinuierliche Verschieben des Mittelungsbereiches entlang der Grenzfläche und Variation der lateralen Grösse ist es desweiteren möglich, Informationen über den Verlauf des Übergangs entlang dieser Grenze zu erhalten.

[1] N.I. Borgardt et al., Ultramicroscopy 90 (2002), 241.

[2] N.I. Borgardt et al., Phys. Rev. B 70 (2004), 195307.