Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 50: Nanodr
ähte

HL 50.4: Talk

Tuesday, March 8, 2005, 11:30–11:45, TU P-N201

Modifikation von ZnS Nanobändern durch Ionenbestrahlung — •Daniel Stichtenoth, Daniel Schwen, Sven Müller, Christine Borchers und Carsten Ronning — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, D-37077 Göttingen, Germany

ZnS als ein II-VI Halbleiter mit direkter Bandlücke von 3,66 eV in der kubischen und 3,74 eV in der wurzitischen Phase eignet sich aufgrund seiner besonderen optischen Eigenschaften wie einem hohem Brechungsindex zur Fertigung optoelektronischer Bauteile. Halbleiter Nanobänder mit einer Dicke von 20nm - 200nm und einem hohen Aspektverhältnis wurden durch einen einfachen thermischen CVD Prozess sythetisiert. TEM Untersuchungen ergaben, dass die entstandenen Nanobänder sowohl wurzitische als auch kubische Kristallstruktur haben. Geeignete Fremdatome zur Dotierung der Bänder wurden durch Ionenimplantation eingebracht. Defekte wurden durch Anlassen weitesgehend ausgeheilt. An den Proben wurden Photo- und Kathodolumineszenz Untersuchungen in einem Temperaturbereich von 12K - 300K als Funktion der Anlasstemperatur durchgeführt. Zusätzlich werden in diesem Vortrag zeitaufgelöste Messungen an ausgewählten Zuständen diskutiert.