Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 50: Nanodr
ähte

HL 50.5: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 11:45–12:00, TU P-N201

Wachstum und Dotierung von ZnO Nanodrähten — •Sven Müller, Daniel Stichtenoth, Daniel Schwen, Tania Hernan Hakansson, Christine Borchers und Carsten Ronning — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen, Germany

ZnO Nanodrähte wurden mit einem einfachen CVD Verfahren hergestellt. Dazu wurden hexagonal angeordnete Goldkatalysatorpunkte durch Nanospherelithographie auf geeignete Substrate aufgebracht. Diese Goldpunkte wirken im anschließenden Vapor-Liquid-Solid (VLS) Wachstum der Nanodrähte als Katalysator. Die hergestellten Nanodrähte wurden mit Al+ (als Donator) und N+ (als Akzeptor) Ionen und einer Energie von 25 keV bestrahlt, um einen p- und n-typ-Dotierung zu erhalten. Die anschließenden TEM und Photolumineszenzuntersuchungen für die unterschiedlichen Implantationsdosen wurden direkt nach dem Implantieren und nach dem Ausheizen untersucht. Die Ergebnisse zum Wachstum und zur Implantation werden in diesem Vortrag diskutiert.