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HL: Halbleiterphysik

HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III

HL 51.2: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 11:00–11:15, TU P-N202

Elektrische Eigenschaften von ausgedehnten lokalen Defekten in GaN — •A. Krtschil, A. Dadgar, T. Riemann, J. Christen und A. Krost — Inst. f. Exp. Physik, Uni Magdeburg, PF4120, 39016 Magdeburg

In dieser Arbeit werden mit Hilfe von Rasterkapazitäts- (SCM) und Rasteroberflächenpotentialmikroskopie (SSPM) sowie mittels ortsaufgelöster Kathodolumineszenzmikroskopie ausgedehnte strukturelle Defekte in MOCVD-gewachsenen GaN-Schichten auf Saphirsubstrat sowie freistehendem HVPE-GaN untersucht. Im Gegensatz zu den integralen elektrischen Standardverfahren I-V/C-V-Analyse, Hall-Effekt oder Transientspektroskopie liefern SSPM und SCM Informationen über Ladungsträgerkonzentrationsgradienten, lokalisierte Ladungen und interne Feldkomponenten mit einer örtlichen Auflösung in der Größenordnung von 20 nm. Die gezeigten ausgedehnten Defekte reichen von Versetzungen über hexagonale Hillocks bzw. invertierte Pyramiden bis hin zu Mikrorissen und sind charakteristisch für MOCVD- und HVPE-gewachsenes GaN. Außerdem werden temperaturabhängige und optisch angeregte SSPM-Scans an diesen Defekten vorgestellt, aus denen die dazu korrespondierenden Energieniveaus der elektrisch aktiven Defekte bestimmt werden. Die Abhängigkeit dieser Defekteigenschaften von der Dotierung der Schicht (undotiert, Mg-, Fe-, Si-Dotierung) wird diskutiert.