Berlin 2005 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III
HL 51.4: Talk
Tuesday, March 8, 2005, 11:30–11:45, TU P-N202
Lumineszenz von InGaN/GaN-Quantenpunktschichten in Abhängigkeit von der Versetzungsdichte und der Schichtanzahl — •A. Strittmatter1, L. Reissmann1, A. Hoffmann1, D. Bimberg1, P. Veit2, T. Riemann2 und J. Christen2 — 1Technische Universität Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin — 2Otto-von Guericke-Universität Magdeburg, Inst. f. Experimentelle Physik, PF 4120, D-39016 Magdeburg
Einzel- und Mehrfach-Quantenpunktschichten bestehend aus InGaN/GaN-Stapeln wurden mittels MOCVD auf mit Stegen strukturierten Si(111)-Substraten gewachsen. Der GaN-Puffer zeigt in den Bereichen oberhalb der Si Stege eine hohe Versetzungsdichte von ca. 1010 cm−2 und eine sehr niedrige (107 cm−2) Versetzungsdichte in den lateral überwachsenen Gebieten. Interessanterweise bildet die Lumineszenz einzelner InGaN-Schichten die Versetzungsdichte scharf ab, in dem die Lumineszenz in den versetzungsarmen Gebieten zu grösseren Wellenlängen verschiebt. Im Gegensatz hierzu zeigt die Lumineszenz gestapelter InGaN/GaN-Schichten auf solchen strukturierten Si-Substraten kein derartiges Abbild der Versetzungsdichte. Eine mögliche Erklärung wäre ein sättigbarer Trapping-Mechanismus für In-Atome an Versetzungen. Die Arbeiten werden gefördert durch die Europäische Union im Rahmen des SANDiE Network of Excellence (Fördernummer: NMP4-CT-2004-500101) und durch den Sfb 296 der DFG.