Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III

HL 51.5: Talk

Tuesday, March 8, 2005, 11:45–12:00, TU P-N202

MOVPE Wachstum von AlInN — •Armin Dadgar, Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, André Krtschil, Hartmut Witte, Annette Diez und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg

AlInN deckt einen weiten Bandlückenbereich von 6.2 (AlN) bis ca. 0.8 eV (InN) ab und kann mit einer In-Konzentration von ca. 18% gitterangepaßt auf GaN gewachsen werden. Letzteres ermöglicht eine Reihe von interessanten Anwendungen für elektronische (FETs) und optoelektronische (RCLED, VCSEL) Bauelemente. Aufgrund der unterschiedlichen Anforderungen an das Wachstum von AlN und InN gibt es jedoch Probleme, ein geeignetes Wachstumsfenster für das MOVPE Wachstum zu finden. Wir zeigen, wie hochwertige AlInN Schichten mit Indiumkonzentrationen von ca. 9-25% auf GaN auf Silizium gewachsen werden können. Detaillierte Röntgendiffraktometrieuntersuchungen zeigen, daß sich die AlInN Komposition über der Schichtdicke stark ändert. Möglichkeiten, diese Konzentrationsänderung zu reduzieren, werden aufgezeigt.