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HL: Halbleiterphysik

HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III

HL 51.6: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 12:00–12:15, TU P-N202

MOVPE-Wachstum von GaN(As,P) auf Si(001) — •Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Anette Diez und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-v.-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39104 Magdeburg

Die moderne Halbleiterelektronik basiert auf Substraten mit kubischer Kristallstruktur in (001)-Orientierung. Zur Integration von GaN-basierten Bauelementen mit der etablierten Si-Elektronik ist es daher vorteilhaft, (001)-orientiertes Silizium anstelle des für das GaN Wachstum derzeit verwendeten Si(111) als Substratmaterial zu verwenden. Aus Symmetriegründen ist es notwendig, eine zusätzliche Vorzugsrichtung auf einem Si(001)-Substrat zu erzeugen, die eine von zwei möglichen azimuthalen Orientierungen des hexagonalen (0001) GaN selektiert. Zum Studium der Grenzfläche zwischen kubischen und hexagonalen Systemen wurden durch Umwandlung von Ga(As,P) in GaN und von GaN in Ga(N,As,P) Modellsysteme gewachsen und mittels Röntgenbeugungsmethoden und REM analysiert. Des Weiteren wird der Einfluss der Wachstumstemperatur einer AlN-Keimschicht auf die kristalline Qualität des GaN sowie Auswirkungen eines Substrat-Fehlschnittes in [110]-Richtung untersucht. Bei einer AlN-Wachstumstemperatur von 1145^∘ konnte eine reine c-Achsen Orientierung der GaN-Kristallite mit einer Halbwertsbreite von 0.13^∘ in Röntgen θ/2θ-scans erzielt werden.