Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III

HL 51.9: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 12:45–13:00, TU P-N202

Strukturelle Untersuchungen an Mn-dotierten GaN-Schichten — •T. Niermann, M. Kocan, M. Röver, M. Seibt und A. Rizzi — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen

Für den magnetisch verdünnten Halbleiter GaN:Mn sagen theoretische Arbeiten ferromagnetische Eigenschaften bei Raumtemperatur vorher. Wir haben strukturelle Untersuchungen mittels hochaufgelöster Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) und energiedispersiver Röntgenanalyse (EDX) an per Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen hexagonalen GaN:Mn-Schichten durchgeführt. Bei der Herstellung wurde zwischen die GaN:Mn-Schicht und das (111)-Si-Substrat eine AlN-Pufferschicht gewachsen, die die Defektdichte im GaN reduziert. Bei einem Mn-Anteil von 5% ist ein Teil des Mn homogen im GaN gelöst. Zusätzlich finden sich etwa 10 nm große Mn-reiche Ausscheidungen, die vorwiegend an Versetzungen beobachtet werden. Wir diskutieren die möglichen Phasen dieser Ausscheidungen.