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10:45 |
HL 51.1 |
Functionalization of Group III-Nitride Surfaces for Biosensor Applications — •Barbara Baur, Georg Steinhoff, Thomas Wassner, Martin Stutzmann, and Martin Eickhoff
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11:00 |
HL 51.2 |
Elektrische Eigenschaften von ausgedehnten lokalen Defekten in GaN — •A. Krtschil, A. Dadgar, T. Riemann, J. Christen und A. Krost
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11:15 |
HL 51.3 |
Laterales Überwachsen strukturierter Si(111)-Substrate mit GaN und AlN-Zwischenschichten — •L. Reissmann, A. Strittmatter, U. Haboeck, A. Hoffmann, D. Bimberg, P. Veit und J. Christen
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11:30 |
HL 51.4 |
Lumineszenz von InGaN/GaN-Quantenpunktschichten in Abhängigkeit von der Versetzungsdichte und der Schichtanzahl — •A. Strittmatter, L. Reissmann, A. Hoffmann, D. Bimberg, P. Veit, T. Riemann und J. Christen
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11:45 |
HL 51.5 |
MOVPE Wachstum von AlInN — •Armin Dadgar, Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, André Krtschil, Hartmut Witte, Annette Diez und Alois Krost
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12:00 |
HL 51.6 |
MOVPE-Wachstum von GaN(As,P) auf Si(001) — •Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Anette Diez und Alois Krost
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12:15 |
HL 51.7 |
Verspannungsfelder einzelner Versetzungen in Galliumnitrid — •Nikolaus Gmeinwieser, Peter Gottfriedsen, Ulrich T. Schwarz, Werner Wegscheider, André Krtschil, Rainer Clos, Georg Brüderl und Volker Härle
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12:30 |
HL 51.8 |
Electrical and Optical Properties of Highly Si-Doped AlN — •Martin Hermann, Florian Furtmayr, Markus Maier, Martin Stutzmann, Eva Monroy und Martin Eickhoff
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12:45 |
HL 51.9 |
Strukturelle Untersuchungen an Mn-dotierten GaN-Schichten — •T. Niermann, M. Kocan, M. Röver, M. Seibt und A. Rizzi
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13:00 |
HL 51.10 |
Heteroepitaxial Growth of Group III-Nitrides on Diamond — •Olaf Weidemann, Martin Hermann, Markus Maier, Martin Stutzmann und Martin Eickhoff
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