Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 55: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung II

HL 55.6: Talk

Tuesday, March 8, 2005, 16:15–16:30, TU P-N201

Einfluss der Verspannung auf die Bildung von GaInAs/GaAs Quantenpunkten — •A. Löffler¹, J.-P. Reithmaier¹, A. Forchel¹, A. Sauerwald², T. Kümmell² und G. Bacher² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg — ²Werkstoffe der Elektrotechnik, Universität Duisburg-Essen

Selbstorganisierte Quantenpunktstrukturen im GaInAs/GaAs-Materialsystem werden üblicherweise im sogenannten "Stranski-Krastanov"-Wachstumsmodus hergestellt. Hierbei ist die Verspannung die treibende Kraft für die Bildung der Quantenpunkte, die sich ab einer gewissen kritischen Schichtdicke bilden. Dabei wird die Dichte und Größe der Quantenpunkte im Wesentlichen durch die abgeschiedene Materialmenge bzw. deren Zusammensetzung beeinflusst.

Um insbesondere große Quantenpunktstrukturen mit geringer Dichte für Grundlagenuntersuchungen herzustellen, wurde der Einfluss der Verspannung auf die Quantenpunktbildung untersucht, wobei der Indiumgehalt sukzessive von 60 % über 45 % auf 30 % reduziert wurde. Die Quantenpunktstrukturen wurden in einer Feststoffquellen-MBE gewachsen, mit Tieftemperatur-Photolumineszenz-Messungen optisch charakterisiert bzw. ihre Morphologie mittels REM- bzw. TEM-Messungen untersucht.