HL 55: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung II
Dienstag, 8. März 2005, 15:00–16:30, TU P-N201
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15:00 |
HL 55.1 |
Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie an stickstoffhaltigen InAs/GaAs-Heterostrukturen — •M. Müller, A. Lenz, L. Ivanova, R. Timm, H. Eisele, M. Dähne, O. Schumann, L. Geelhaar und H. Riechert
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15:15 |
HL 55.2 |
Aligned InAs quantum dots grown on an epitaxially patterned (110) GaAs surface — •Jochen Bauer, Dieter Schuh, Emanuelle Uccelli, Robert Schulz, Max Bichler, Jonathan Finley, and Gerhard Abstreiter
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15:30 |
HL 55.3 |
Optical investigation of nanoelectromechanical actuations — •Christine Meyer, Heribert Lorenz, and Khaled Karrai
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15:45 |
HL 55.4 |
Structure and morphology of InGaN nano-islands on GaN studied by STM — •Subhashis Gangopadhyay, Thomas Schmidt, Sven Einfeldt, Tomohiro Yamaguchi, Detlef Hommel, and Jens Falta
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16:00 |
HL 55.5 |
One-Dimensional Electronic States on Si(111)-2×1: Observation of a Coulomb Gap at low T — •J. K. Garleff, M. Wenderoth, R. G. Ulbrich, C. Sürgers, and H. v. Löhneysen
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16:15 |
HL 55.6 |
Einfluss der Verspannung auf die Bildung von GaInAs/GaAs Quantenpunkten — •A. Löffler, J.-P. Reithmaier, A. Forchel, A. Sauerwald, T. Kümmell und G. Bacher
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