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HL: Halbleiterphysik

HL 57: Poster IIa

HL 57.16: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU E

Elektrische Feldabhängigkeit der Photolumineszenzspektren in InGaN/GaN Heterostrukturen — •Harald Braun¹, Nikolaus Gmeinwieser¹, Ulrich T. Schwarz¹, Werner Wegscheider¹, Elmar Baur², Georg Brüderl², Alfred Lell² und Volker Härle² — ¹Naturwissenschaftliche Fakultät II- Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, 93053 Regensburg, Germany — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany

Um eine weitere Leistungssteigerung bei Galliumnitrid basierten Leucht- und Laserdioden zu ermöglichen ist eine gute Kenntnis von den Vorgängen in der aktiven Zone nötig. InGaN/GaN Quantentröge weisen ein hohes intrinsisches, pyro- und piezoelektrisches Feld auf. Durch eine angelegte Spannung können diese Felder kompensiert werden, was sich in einer Änderung der Emissionswellenlänge und -Intensität wiederspiegelt. Unser konfokaler Mikro-Photolumineszenz (µPL) Messplatz ermöglicht die Kombination von Elektrolumineszenz und feldabhängiger Photolumineszenz bei verschiedenen Temperaturen bis hin zu 4 K. Die Ergebnisse lassen Rückschlüsse auf den Mechanismus der Ladungsträgerrekombination zu. Durch die hohe Ortsauflösung lassen sich diese Methoden auch für Facetten von Laserdioden anwenden.