Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 57: Poster IIa

HL 57.18: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU E

MOVPE Wachstum von AlN auf GaN — •Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Thomas Hempel, Anette Diez, Alois Krost und Jürgen Christen — Institut für Experimentelle Physik, Otto-v.-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39104 Magdeburg

Eine Standardmethode zur Verspannungskontrolle von dicken GaN-Schichten ist der Einsatz von AlN-Zwischenschichten. Zum genaueren Verständnis der mikrostrukturellen Prozesse und Wirkungen dieser Zwischenschichten wurde das initiale MOVPE Wachstum von AlN auf GaN untersucht. Dazu wurden verschiedene Serien von AlN-Schichten mit unterschiedlicher Wachtumstemperatur, TMAl-Fluss, und Schichtdicke hergestellt und bezüglich Morphologie, Gitterparameter und Qualität charakterisiert. Die Beurteilung der Oberflächenstruktur bis in den nm Bereich erfolgte mittels FE-REM. Die Gitterparameter der hexagonalen AlN-Zelle wurden mittels verschiedener Röntgenbeugungsmethoden bestimmt. Dabei zeigt das AlN bei niedrigen Depositionstemperaturen ein polykristallines, nanostrukturiertes Wachstum mit schwacher Vorzugsorientierung und vollständiger Relaxation. Bei höheren Temperaturen (>1000^∘C) zeigen die Oberflächen auch bei kleinsten Schichtdicken eine ausgeprägte Rissstruktur im nm-Bereich. Diese Schichten sind deutlich besser texturiert und ermöglichen ein vollverspanntes Aufwachsen der folgenden GaN-Schichten.