Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 57: Poster IIa

HL 57.19: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU E

Quantenpunktlaser auf InP für den 1.9 µm Wellenlängenbereich — •Andre Somers, Wolfgang Kaiser, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Würzburg

Seit längerem ist es möglich quantenpunktähnliche Strukturen mittels selbstorganisiertem Wachstums auf InP-Substraten herzustellen die vergleichbare Eigenschaften zeigen wie InAs-Quantenpunkte auf GaAs. Damit erschloss sich für Quantenpunktlaser ein neuer Wellenlängenbereich von über 1.4 µm. Durch das Einschließen der Quantenpunkte in einen Quantenfilm ist es möglich die Emissionswellenlänge weiter in den langwelligen Bereich zu schieben.

Der in diesem Beitrag präsentierte Laser erreicht mit Hilfe dieser Methode eine Emissionswellenlänge von 1.88 µm. Dabei wurden Schwellenstromdichten unter 1 kA/cm² für 1 mm lange Breitstreifenlaser mit unverspiegelten Facetten erreicht. Ein weiterer Vorteil der Quantenpunktlaser gegenüber herkömmlichen Quantenfilmlasern ist die geringe Verschiebung der Wellenlänge mit der Temperatur. Diese ist vergleichbar mit der durch die Veränderung des Brechungsindex hervorgerufenen Verschiebung und ermöglicht die Realisierung von extrem temperaturstabilen DFB-Lasern. Da Wasser bei 1,877 µm eine Absorptionslinie besitzt ist dies vor allem für die Herstellung von Gassensoren von besonderem Interesse.