Berlin 2005 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 57: Poster IIa

HL 57.24: Poster

Tuesday, March 8, 2005, 16:30–19:00, Poster TU E

Optische Eigenschaften und Modifikation von II - VI Halbleiter Nanobänder — •Daniel Stichtenoth, Daniel Schwen, Sven Müller, Christine Borchers und Carsten Ronning — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, D-37077 Göttingen, Germany

ZnS und ZnO als Beispiel für II-VI Halbleiter mit großer direkter Bandlücke zeigen interessante optische Eigenschaften, die sie für die Anwendung als optoelektronische Bauteile interessant machen. ZnS und ZnO Nanobänder mit hohem Aspektverhältnis wurden durch einen einfachen thermischen CVD Prozess sythetisiert. Die optischen Eigenschaften wurden mittels temperaturabhängiger Photo- und Kathodolumineszenz untersucht. Zusätzlich wurden zeitaufgelöste Messungen an ausgewählten Zuständen vorgenommen. Ein weiterer Schwerpunkt lag darauf, geeignete Fremdatome zur Dotierung der Nanobänder durch Ionenimplantation einzubringen und den Einfluss auf die Lumineszenz zu untersuchen.