Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 58: Poster IIb

HL 58.42: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

DLTS-Untersuchungen an III-V-Halbleitern für Solarzellen — •Severin Müller^1,2, Frank Dimroth², Sascha van Riesen² und Andreas W. Bett² — ¹Freiburger Materialforschungszentrum, Universität Freiburg, Stefan-Meier-Strasse 21, 79104 Freiburg — ²Fraunhofer ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg

Voraussetzung für einen hohen Wirkungsgrad einer Solarzelle ist, dass die durch Lichteinstrahlung im Halbleiter erzeugten Minoritätsladungsträger eine hohe Lebensdauer erzielen. Rekombinieren diese bevor sie den p/n-Übergang erreicht haben, tragen sie nicht zum Strom der Zelle bei. Dabei wirken tief in der Bandlücke des Halbleiters liegende Defekte als besonders effektive Rekombinationszentren. Diese gilt es daher zu verringern. Am Fraunhofer ISE werden GaAs-basierende Schichtstrukturen für Solarzellen mittels MOVPE (metallorganische Gasphasenepitaxie) auf GaAs- und Ge-Substraten abgeschieden. Insbesondere das Material GaInNAs ist als Mittelzelle einer Kaskadensolarzelle auf Germanium-Substraten von besonderen Interesse. Bisher wurden mit diesem Material allerdings nur geringe Solarzellenwirkungsgrade erzielt, was auf eine geringe Diffusionslänge bzw. Lebensdauer zurückzuführen ist. Mittels DLTS-Messungen (Deep-level transient spectroscopy) können tiefe Rekombinationszentren identifiziert werden. Somit besteht die Möglichkeit, unterschiedliche Wachstumsbedingungen zu bewerten und sie zu optimieren. Ergebnisse dieser Arbeiten werden vorgestellt.