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HL: Halbleiterphysik

HL 58: Poster IIb

HL 58.61: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Ionenimplantation von N+ und Al+ in ZnO Nanodrähte — •Sven Müller, Daniel Stichtenoth, Daniel Schwen, Christine Borchers und Carsten Ronning — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen, Germany

ZnO Nanodrähte, die mit Hilfe eines einfachen CVD-Prozesses hergestellt wurden, wurden mittels Ionenimplantation dotiert. Dabei wurden die Elemente N+ (als Akzeptor) oder Al+ (als Donator) mit einer Energie von 25 keV eingesetzt. Die strukturellen Veränderungen innerhalb der Nanodrähte nach der Ionenimplantation wurden mit hoch-auflösender TEM untersucht. Sowohl Punktdefekte als auch ausgedehnte Defekte wurden lokalisiert, die nach Anlassen auf 800^∘C nahezu komplett ausgeheilt werden konnten. Die optische Aktivierung der implantierten Atome wird auf diesem Poster anhand von parallel durchgeführten PL/CL-Messungen diskutiert.