Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 64: Photovoltaik II

HL 64.9: Talk

Wednesday, March 9, 2005, 12:45–13:00, TU P-N202

Bestimmung der Gitterkonstanten epitaktischer CuIn_1−xGa_xS₂ Filme auf Si(111) mittels Synchrotronstrahlung — •Janko Cieslak¹, Jürgen Kräußlich², Thomas Hahn¹, Frank Wunderlich², Heiner Metzner¹, Jens Eberhardt¹, Udo Reislöhner¹, Mario Gossla¹ und Wolfgang Witthuhn¹ — ¹Institut für Festköperphysik, Friedrich Schiller Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — ²Institut für Optik und Quantenelektronik, Friedrich Schiller Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Es wurden epitaktische CuIn_1−xGa_xS₂ Filme unterschiedlicher Ga-Anteile x mittels Molekularstrahlepitaxie auf Si(111) Substraten abgeschieden. Aufgrund der bzgl. Si kleineren Gitterkonstante a von CuGaS₂ und größeren Gitterkonstante von CuInS₂ ist eine perfekte Gitteranpassung für das quaternäre System CuIn_1−xGa_xS₂ zu erwarten. An der Europäischen Synchrotron Strahlungsquelle in Grenoble konnten die Gitterkonstanten der epitaktischen Filme mittels Röntgenbeugung präzise bestimmt werden. Der Ga-Anteil x, bei denen Gitteranpassung eintritt wurden ermittelt und hat aufgrund des tetragonalen Kristallsystems für die Gitterkonstanten a und c unterschiedliche Werte. Abweichungen der Gitterkonstanten zu Literaturwerten von Einkristallen sowie der Einfluß metastabiler Ordnungstypen werden diskutiert.