Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 8: III-V Halbleiter I

HL 8.6: Talk

Friday, March 4, 2005, 13:00–13:15, TU P-N202

Spinrelaxationszeiten in p-GaAs durch spinsensitive Sättigung der Intersubband-Absorption — •Petra Schneider¹, J. Kainz¹, S.D. Ganichev¹, S.N. Danilov¹, U. Rössler¹, W. Wegscheider¹, D. Weiss¹, W. Prettl¹, V.V. Bel’kov², M.M. Glazov², L.E. Golub² und D. Schuh³ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Rußland — ³Walter Schottky Institut, TU München, 85748 Garching

Die Spinrelaxationszeiten von Löchern in p-leitenden GaAs/AlGaAs Quantentrögen, die durch spinsensitive Sättigung der Absorption von Ferninfrarot-Laserstrahlung gewonnen wurden, werden präsentiert. Die Sättigung der Intersubband-Absorption wird bei der Einstrahlung von zirkular polarisiertem Licht hauptsächlich durch die Spinrelaxation bestimmt. Das Sättigungsverhalten ist für verschiedene Quantentrogbreiten und in einem großen Temperaturbereich untersucht worden. Die Spinrelaxationszeiten wurden aus den gemessenen Sättigungsintensitäten mit Hilfe von theoretisch berechneten Absorptionskoeffizienten bestimmt. Unsere Ergebnisse zeigen, dass für dieses Material der dominierende Relaxationsprozess der D’yakonov-Perel’-Mechanismus ist. Text