Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 20: Poster:Schichten(1-29),Spintrsp(30-45),Ex-Bias(46-63),Spindyn(64-75),Mikromat.(76-80),Cluster(81-94),Abbv.(95-99),Obflm(100-02),SpElek.(103-09),E-Theo(110-14),Mikromag.(115-16),Spin+PÜ(117-26),Mag.Mat.(127-51),Meth.(152-55),Mol.Mag(156-59),Kondo(160-65

MA 20.24: Poster

Montag, 7. März 2005, 14:00–18:00, Poster TU C

Magnetische und chemische Grenzflächeneigenschaften von Tunnelelementen mit FeO_x Elektroden — •Marc Sacher, Jan Schmalhorst und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Dünne Schichten und Nanostrukturen, Universitätsstr.25, 33615 Bielefeld

Magnetische Tunnelelemente (MTJ) werden seit kurzem erfolgreich als Speicherbaustein in nichtflüchtigen Schreib-Lese-Bausteinen verwendet. Für die weitere Entwicklung sind dabei halbmetallische Elektrodenmaterialien mit theoretischen Spinpolarisationen von 100% für die Steigerung des TMR-Effektes von entscheidender Bedeutung. Auch für Magnetit (Fe₃O₄) wird eine Spinpolarisation von 100% vorhergesagt, allerdings konnte diese in magnetischen Tunnelelementen bisher nicht verifiziert werden. In dieser Arbeit wurden mittels verschiedener kombinierter Sputter- und Oxidationsverfahren hergestellter Eisenoxidschichten als Elektrodenmaterial in MTJ untersucht. Dabei wurde besonderes Augenmerk auf sowohl die magnetischen und strukturellen Eigenschaften des Volumenmaterials als auch die chemischen und magnetischen Eigenschaften an der FeO_x / Barrierengrenzfläche gelegt. Dazu wurde zum einen Magnetometrie (AGM und MOKE) durchgeführt und zum anderen die Beugung (XRD) und Absorption von polarisierter Röntgenstrahlung (XAS und XMCD) gemessen. Ein besonderer Fokus wurde auf die Präparation von Al₂O₃ Barrieren auf den Eisenoxidschichten gesetzt, um mögliche ungewollte Veränderungen in der Fe₃O₄ Stöchiometrie zu minimeren.