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O: Oberflächenphysik

O 19: Nanostrukturen II

O 19.5: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 11:45–12:00, TU EB420

Ioneninduzierte Defektstrukturen auf Oberflächen — •Thorsten Peters¹, Henning Lebius² und Marika Schleberger¹ — ¹Universität Duisburg-Essen, Fachbereich Physik, 45117 Essen — ²CIRIL GANIL, rue Claude Bloch, BP 5133, 14070 Caen, Cedex 5, France

Hochgeladene Ionen bieten die Möglichkeit, nicht nur über ihre kinetische, sondern auch über ihre potentielle Energie sehr hohe Energiedichten auf Oberflächen zu erzielen (bis zu 10¹⁴ W/cm²) und dort bleibende Defekte zu verursachen. Wir haben untersucht, inwiefern das Einbringen hoher potentieller Energien auf Isolator- (SrTiO₃, TiO₂, SiO₂ und Al₂O₃) und Halbleiteroberflächen (Si) zu Defekten in der Oberflächenmorphologie führt. Bestrahlt wurden die Proben mit ³⁶S¹⁵⁺-, ²⁰⁸Pb²³⁺-, ¹²⁹Xe¹⁵⁺ und ¹²⁹Xe²⁹⁺- Ionen mit Energien zwischen 270 keV und 410 MeV. Untersucht wurde jeweils die Oberflchenbeschaffenheit mittels Rasterkraftmikroskopie, sowohl an Luft als auch in situ direkt nach Präparation und Bestrahlung. Es konnte gezeigt werden, dass sich nur für bestimmte Projektil-Oberflächen-Kombinationen einzelne Defekte auf den Oberflächen in Form von hügelartigen Erhebungen ausbilden. Der quantitative Zusammenhang zwischen dem Ladungszustand der Projektile und der Anzahl, Form und Abmessungen der Defekte soll in zukünftigen Experimenten näher untersucht werden.