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O: Oberflächenphysik

O 36: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfl
äche fest-flüssig, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Nanostrukturen, Oberfl
ächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen)

O 36.40: Poster

Montag, 7. März 2005, 15:00–18:00, Poster TU F

STM-Spitzeninduzierte CVD von Fe- und Cu-Nanostrukturen — •Erik Freier¹, Matthias Berse¹, Martin Kneppe¹, Guido Walther¹, Ulrich Köhler¹, Marie-Katrin Schröter² und Stephan Hermes² — ¹Experimentalphysik IV/Oberflächenphysik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — ²Anorganische Chemie II, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum

In den hier vorgestellten Experimenten wurde die Erzeugung kleiner Strukturen durch direktes Schreiben mit dem STM untersucht. Die Spitzeninduzierte CVD bedient sich dabei gasförmiger Precursor, um aus diesen gezielt Metalle lokal auf der Substratoberfläche abzuscheiden. Insbesonders lassen sich sowohl Punkt- als auch Linienstrukturen aus Eisen bzw. Kupfer auf Si, InAs und GaAs erzeugen. Als Precursorgase dienten dabei Eisenpentacarbonyl und Bis(N,N−dimethylaminopropan−2−ol)Cu. Weiterhin wurde das rein thermisch induzierte Wachstum von Kupfer aus der Gasphase auf Si bzw. SiO₂ und aufgesputterten Zinkoxid-Schichten untersucht. Die so erzeugten Systeme können sowohl im Halbleiter-/Elektronikbereich als auch für katalytische Zwecke eingesetzt werden.