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O: Oberflächenphysik

O 36: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfl
äche fest-flüssig, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Nanostrukturen, Oberfl
ächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen)

O 36.66: Poster

Montag, 7. März 2005, 15:00–18:00, Poster TU F

Silizium Cluster auf Oberflächen — •Tim Fischer, Rainer Dietsche, Nils Bertram, Felix von Gynz-Rekowski, Dong Chan Lim, Ignacio Lopez, Young Dok Kim und Gerd Ganteför — Universität Konstanz, 78457 Konstanz

Für Oberflächenprozesse in Chemie, Optik und Elektronik werden immer neuere Werkstoffe gesucht. Stabile "supermagische" Cluster, wie C₆₀ oder Sb₄ ^[1], eignen sich für eine Entwicklung solcher neuer Materialien mit ungewöhnlichen elektronischen und chemischen Eigenschaften.

Mögliche Kandidaten sind die magischen Silizium Cluster Si₄ ^[2] und Si₇. Diese werden mit einer Magnetronquelle erzeugt, massenselektiert und auf unterschiedlichen Substraten weich gelandet (E_kin≤ 0,3 eV/Atom). Die auf Graphit (amorph oder kristallin) oder einen Silbereinkristall deponierten Cluster werden mit PES, STM, AES, LEED und HREELS untersucht.

Die Spektren weisen auf eine inerte Cluster-Spezies auf der Oberfläche hin. Eine Carbidisierung auf amorphen Graphit und Oxidierung bei Sauerstoffzugabe wird nicht beobachtet. Im Gegensatz dazu ist bei deponierten Si-Atomen eine Reaktion zu erkennen^[3].

[1] B. Stegemann, B. Kaiser and K. Rademann New Journal of Physics 4, 89 (2002)

[2] M. Grass, D. Fischer, M. Mathes, P. Nielaba, G. Ganteför Appl. Phys. Lett. 81, 3810 (2002)

[3] M. Mathes, M. Grass, Y.D. Kim and G. Ganteför Surf. Sci. 552, L58, (2004)