O 39: Nanostrukturen IV
Dienstag, 8. März 2005, 10:45–13:00, TU EB420
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10:45 |
O 39.1 |
Formation and decay of Si/Ge nanostructures at the atomic level — •Bert Voigtländer, Neelima Paul, Vasily Cherepanov, and Josef Mysliveček
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11:00 |
O 39.2 |
STM contrast between Ge and Si atoms incorporated in the Si(111)-√(3)× √(3)-Bi surface — •Josef Mysliveček, Neelima Paul, and Bert Voigtländer
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11:15 |
O 39.3 |
Strukturelle Untersuchungen von Dysprosiumsilizid-Nanodrähten auf vizinalen Si(001)-Oberflächen mittels Rastertunnelmikroskopie und LEED — •N. Tschirner, S. K. Becker, H. Eisele und M. Dähne
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11:30 |
O 39.4 |
Local electronic properties of the one-dimensional Si(557)-Au surface — •M. Sauter, M. Schöck, R. Hoffmann, C. Sürgers, and H. v. Löhneysen
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11:45 |
O 39.5 |
Lead on hydrogen terminated Si(111)1x1: STM and surface x-ray diffraction — •C. Rettig, V. Chamard, T.-L. Lee, J. Zegenhagen, and H. Hövel
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12:00 |
O 39.6 |
Annealing induced 2D nano-patterning of Ga/Si(111) studied by STM — •Subhashis Gangopadhyay, Thomas Schmidt, and Jens Falta
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12:15 |
O 39.7 |
Stöchiometriebestimmung von III-V Halbleiternanostrukturen mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie — •Holger Eisele, Rainer Timm, Andrea Lenz, Oliver Flebbe, Ernst Lenz, Ferdinand Streicher und Mario Dähne
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12:30 |
O 39.8 |
Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie an stickstoffhaltigen InAs/GaAs-Heterostrukturen — •M. Müller, A. Lenz, L. Ivanova, R. Timm, H. Eisele, M. Dähne, O. Schumann, L. Geelhaar und H. Riechert
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12:45 |
O 39.9 |
Raman spectroscopy on double-walled carbon nanotubes — •Wencai Ren, Feng Li, Huihong Qian, Hui Qian, Thorsten Staedler, Achim Hartschuh, Xin Jiang, and Hui-Ming Cheng
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