Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 41: Elektronische Struktur III

O 41.4: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 11:30–11:45, TU EB107

Rechnungen zur energie- und winkelaufgelösten Photoemission an GaN(0001) Oberflächen — •Thomas Strasser und Wolfgang Schattke — Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Leibnizstr. 15, 24098 Kiel

Galliumnitrid hat in der Optoelektronik erheblich an Bedeutung gewonnen. Jedoch sind Fragen zur elektronischen und geometrischen Struktur seiner Oberfläche offen. Die Photoelektronenspektroskopie ist aufgrund ihrer Oberflächenempfindlichkeit ein geeignetes Mittel zu ihrer Klärung.

Ausgangspunkt der Untersuchung sind theoretische Oberflächenmodelle der 1x1 aus Gesamtenergierechnungen von Wang et. al. [1]. Für diese werden gerechnete Spektrenserien in nichtnormaler Emission entlang verschiedener hochsymmetrischer Richtungen gezeigt und mit Hilfe von Matrixelementen, Zustandsdichten und komplexen Endzustandsbändern analysiert.

Zum Vergleich stehen experimentelle Ergebnisse von Dhesi und Chao zur Verfügung [2,3]. Beide Experimente wurden an 1x1 GaN Oberflächen durchgeführt, zeigen aber dennoch charakteristische Unterschiede. Ziel ist es, diese mit Hilfe des Einstufenmodells auf mikroskopischer Ebene zu verstehen.

[1] Fu-He Wang et al.; Phys. Rev. B 64, 035305 (2001).

[2] S.S. Dhesi et al.; Phys. Rev. B 56, 10271 (1997).

[3] Y.-C. Chao et al.; Phys. Rev. B 59, R15586 (1999).