Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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SYFS: Nichtflüchtige Festkörperspeicher

SYFS 1: Overview, phase change and nanocrystal memories

Samstag, 5. März 2005, 14:00–14:45, TU HE101

	14:00	SYFS 1.1	Hauptvortrag: Physical aspects and technical prospects of nonvolatile memories — •Heinrich Kurz
	14:30	SYFS 1.2	Fabrication of Si nanocrystals for memory application by ion irradiation through SiO2/Si-interfaces — •B. Schmidt, K.-H. Heinig, L. Röntzsch, A. Mücklich, K.-H. Stegemann, E. Votintseva, and M. Klimenkov