Berlin 2005 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

T: Teilchenphysik

T 303: Halbleiterdetektoren II

T 303.10: Talk

Friday, March 4, 2005, 18:45–19:00, TU H112

Schädigungseffekte in dünnen hochohmigen FZ Siliziumdetektoren durch hochenergetische Protonen — •Eckhart Fretwurst¹, L. Andricek², F. Hönniger¹, G. Kramberger³, G. Lindström¹, G. Lutz², M. Reiche⁴, R.H. Richter² und A. Schramm¹ — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — ²MPI Halbleiterlabor, München — ³Jozef Stefan Institute, Universität Ljubljana, Slovenien — ⁴MPI für Mikrostrukturphysik, Halle

Hochohmige FZ Siliziumdetektoren mit einer Dicke von 50 µm und einem spezifischen Widerstand von etwa 4 kΩ·cm wurden mit 24 GeV/c Protonen bis zu Fluenzen von 10¹⁶ cm⁻² bestrahlt. Die Herstellung der dünnen FZ-Substrate erfolgte mittels der “wafer bonding” Technologie, die vom MPI für Mikrostrukturphysik in Halle entwickelt wurde. Die Prozessierung der Detektorstrukturen wurde im MPI-Halbleiterlabor durchgeführt. Untersuchungen und Analysen der strahlungsinduzierten Änderungen der effektiven Dotierungskonzentration, des Sperrstroms und der Ladungssammlungseffizienz sowie Ergebnisse von Ausheilungsexperimenten bei einer Temperatur von 80^∘C werden vorgestellt. Die Resultate werden außerdem mit Ergebnissen von Detektoren verglichen, die auf 50 µm dicken epitaktischen Siliziumschichten mit einem spezifischen Widerstand von 50 Ω·cm hergestellt wurden.