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T: Teilchenphysik

T 603: Halbleiterdetektoren III

T 603.10: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 18:45–19:00, TU H112

Untersuchungen zur Strahlenhärte von DEPFET Pixel Sensoren — •Ladislav Andricek¹, P. Fischer², M. Haerter², K. Heinzinger¹, M. Karagounis³, R. Kohrs³, H. Krueger³, P. Lechner¹, G. Lutz¹, H.-G. Moser¹, I. Peric², L. Reuen³, R.H. Richter¹, G. Schaller¹, M. Schnecke¹, F. Schopper¹, H. Soltau¹, L. Strueder¹, J. Treis¹, M. Trimpl³ und N. Wermes³ — ¹MPI Halbleiterlabor — ²Uni Manheim — ³Uni Bonn

Zurzeit wird im MPI Halbleiterlabor eine neue Generation von DEPFET-Sensoren mit 25 micrometer Pixelgröße entwickelt, die den Anforderungen an den Vertexdetektor am zukünftigen Linearbeschleuniger ILC gerecht wird. DEPFETs sind MOS-Feldeffekttransitoren auf vollständig verarmten Substrat, das als Detektormaterial dient. Wie alle MOS-Bauteile sind sie empfindlich auf ionisierende Strahlung, die zu einer erhöhten postiven Oxidladung und damit zu einer Verschiebung der Einsatzspannung zu negativeren Werten führt. Zudem führt die bestrahlungsbedingte Erhöhung der Dichte an umladbaren Grenzflächenzuständen zu einem erhöhten Rauschen der Bauteile. Wir präsentieren hier die Ergebnisse der Bestrahlung von DEPFETs mit ionisierender Strahlung. Es wird die Verschiebung der Einsatzspannung und die Zunahme des subthreshold slopes als Folge der Bestrahlung mit harten Röntgenstrahlen diskutiert. Wir gehen dabei insbesondere auf die Effekte von unterschiedlichen Betriebsbedingungen während der Bestrahlung ein.