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T: Teilchenphysik

T 603: Halbleiterdetektoren III

T 603.9: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 18:30–18:45, TU H112

Untersuchungen zur Cleareffizienz von DEPFET-Strukturen — •Christian Sandow¹, L. Andricieck², P. Fischer³, M. Harter³, M. Karagounis¹, R. Kohrs¹, H. Krüger¹, G. Lutz², H.G. Moser², I. Peric³, L. Reuen¹, R.H. Richter², L. Strüder², J. Treis², M. Trimpl¹ und N. Wermes¹ — ¹Universität Bonn, Physikalisches Institut, Nußallee 12, 53115 — ²MPI Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6,81739 München — ³Universität Mannheim, Technische Informatik, D7, 68131

DEPFET-Sensoren sind Pixeldetektoren, die durch Integration einer ersten Verstärkerstufe in das aktive Detektormedium schon bei Raumtemperatur ein besonders geringes Rauschen aufweisen. Signalelektronen werden noch innerhalb des Detektorpixels unter dem (p-) Kanal eines MOS-FET’s (sog. Internes Gate) gesammelt und modulieren von dort aus den Transistorstrom. Um eine definierte Verstärkung zu erreichen, ist es notwendig die Elektronen aus dem internen Gate regelmäßig und vollständig zu entfernen. Systematische Untersuchungen an rechteckigen Pixeln (20x25 µm) und kleinen Matrizen helfen bei der Auswahl geeigneter Designmaße im Hinblick auf den möglichen Einsatz von DEPFET-Pixeln am International Linear Collider (ILC). Ladungsinjektion durch einen Laser ermöglicht nicht nur die Untersuchung der Cleareffizienz, sondern auch der Ladungssammlung. Es konnte gezeigt werden, dass bestimmte Designs eine grundlegende Vereinfachung des Timingschemas beim Betrieb des DEPFETs ermöglichen.