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TT: Tiefe Temperaturen

TT 6: Correlated Electrons - (General) Theory I

TT 6.5: Vortrag

Freitag, 4. März 2005, 15:00–15:15, TU H2053

Kombination von Vielteilchen- und Ab-Initio-Methoden zur Berechnung der elektronischen Struktur von Metallen — •Olaf Peschel¹, Gerd Czycholl¹ und Ilan Schnell² — ¹Universität Bremen, Institut für Theoretische Physik — ²Los Alamos National Laboratory, Theoretical Division

Wir gehen von den Bloch-Wellenfunktionen einer DFT-Hartree-Rechnung (ohne Austausch-Korrelationspotential) aus, mit denen wir die statische Suszeptibilität und dielektrische Funktion in Random Phase Approximation (RPA) berechnen. Die Bloch-Wellenfunktionen transformieren wir zu maximal lokalisierten Wannier-Funktionen, und berechnen bezüglich dieser Basis alle relevanten Hopping- und statisch abgeschirmten Coulomb-Matrixelemente. Wir haben damit den Hamilton-Operator in Zweiter Quantisierung unter Berücksichtigung statischer Abschirmung, mit ab-initio berechneten Parametern. Dies ermöglicht die Anwendung von Verfahren der Vielteilchentheorie.

Konkrete Rechnungen wurden für Li als denkbar einfachstes Metall durchgeführt. Es zeigt sich, daß nur on-site-Beiträge bei den abgeschirmten Coulomb-Matrixelemente relevant sind, so daß wir ein verallgemeinertes Vierband-Hubbard-Modell erhalten. Da die Größe der abgeschirmten Coulomb-Wechselwirkung deutlich geringer als die Bandbreite ist, kann die Selbstenergie in zweiter Ordnung Störungsrechnung (SOPT) berechnet werden. Dadurch wird dynamische Abschirmung mitberücksichtigt. Wir vergleichen die Ergebnisse der SOPT mit denen einer statisch abgeschirmten Hartree-Fock-Rechnung.