Augsburg 2006 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

P: Plasmaphysik

P 13: Niedertemperaturplasmen / Plasmatechnologie 4

P 13.2: Vortrag

Dienstag, 28. März 2006, 15:15–15:30, 1002

Charakterisierung von a-Si:H-Schichten als Haftvermittler zwischen Metallen und DLC-Schichten — •Janine-Christina Schauer und Jörg Winter — Institut für Experimentalphysik II, Ruhr-Universität Bochum

Wir untersuchen die Eigenschaften binärer Systeme bestehend aus amorphen Silizium- (a-Si:H) und amorphen Kohlenstoff- (a-C:H) Schichten auf Metallsubstraten. Die amorphe Siliziumschicht dient hierbei als Haftvermittlerschicht zwischen dem Metallsubstrat und der DLC-Schicht (diamond like carbon), da diese nur schwer auf Metallen haften. Die Schichten werden in einem kapazitiv gekoppelten Plasma in einer GEC-Zelle bei 13.56 MHz abgeschieden. Als Precursorgase dienen hierbei Silan und Acetylen. Als Substrate werden Scheiben aus Nickel, Edelstahl und Kupfer verwendet, die vor dem Beschichten mit einer Standardprozedur mechanisch poliert werden. Schichtdicke und optische Eigenschaften der Schichten werden mit ex-situ Ellipsometrie gemessen, die Oberflächenrauhigkeit sowohl der Substrate als auch der Schichten mit AFM und einem Profilometer. Die Zusammensetzung der Schichten wird mit thermischer Desorptionsspektroskopie untersucht (siehe Poster von Raphaela Weiß). Während des Beschichtungsprozesses kann das Substrat auf bis zu 300^∘C geheizt werden. Der Einfluss der Substrattemperatur auf den Wasserstoffgehalt der Schichten wurde mit FTIR untersucht.