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T: Teilchenphysik

T 604: Halbleiterdetektoren III

T 604.1: Vortrag

Freitag, 31. März 2006, 11:15–11:30, C2-02-176

Status des DEPFET Prototypsystems für den Vertexdetektor am ILC — •Lars Reuen¹, L. Andricieck², P. Fischer³, M. Harter², M. Karagounis¹, R. Kohrs¹, H. Krüger¹, G. Lutz², H.G. Moser², I. Peric³, R.H. Richter², L. Strüder², J. Treis², M. Trimpl¹, J. Velthuis¹ und N. Wermes¹ — ¹Physikalisches Institut, Universität Bonn, Nussalle 12, 53115 — ²MPI Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München — ³Technische Informatik, Universität Mannheim, D7, 68131

Die Integration der 1. Verstärkerstufen im Pixel verleiht DEPFET-Sensoren exzellente Rauscheigenschaften und macht sie zu einem idealen Kandidaten für den Vertex-Detektor im geplanten internationalen Linearbeschleuniger (ILC). Die Anforderungen an einen solchen Detektor sind eine hohe Ortsauflösung von einigen µm, eine schnelle Auslese mit einer Zeilenrate von einigen 10 MHz, sehr dünne Sensoren mit geringem Leistungsverbrauch, um streuendes Material im Vertexdetektor zu minimieren, und eine Toleranz gegenüber Strahlungsschäden von etwa 250 krad für 5 Jahre Betrieb. Für diesen Einsatz wurde ein Prototyp-System bestehen aus einer 64x128 DEPFET-Pixelmatrix, Steuer- und Auslesechips und einem Auslesekarte entwickelt. Nach einer kurzen Einführung in das DEPFET-Prinzip wird das System mit seinen Komponenten und Messungen, insbesondere im Hinblick auf die Anforderungen des ILCs, vorgestellt.