Dortmund 2006 – scientific programme
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T: Teilchenphysik
T 705: Tracking II
T 705.4: Talk
Friday, March 31, 2006, 15:20–15:35, C2-02-176
Strahlungsinduzierte Defekte in epitaktischen Siliziumdetektoren — •Frank Hönniger1, Eckhart Fretwurst1, Gunnar Lindström1, Gregor Kramberger2, Michael Moll3 und Ioana Pintilie4 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 2Jozef Stefan Institut, University of Ljubljana — 3CERN — 4National Institute for Materials Physics, Bucharest
Epitaktische Siliziumdetektoren verschiedener Schichtdicken (25, 50 und 75 µm)wurden mit 23 GeV Protonen bestrahlt und hinsichtlich der erzeugten Defekte mittels DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) und TSC (Thermally Stimulated Current) Messungen untersucht. Die Ergebnisse werden mit den makroskopischen Detektorparametern, die aus Untersuchungen der Kapazitäts/Spannungs- und Strom/Spannungs-Kennlinien gewonnen wurden, verglichen. Zusätzlich wurden die Ladungssammlungseigenschaften mittels TCT (Transient Current Technique) Messungen unter Verwendung von α- und β-Teilchen untersucht.